ESD和浪涌問題往往是基帶工程師*頭疼的問題，因?yàn)闇y(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛，問題神出鬼沒。特別是ESD問題，沒有解決問題的標(biāo)準(zhǔn)路徑，只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗(yàn)證。

想要盡量避免以上問題，就必須選擇合適的防護(hù)器件，設(shè)計(jì)上做足防護(hù)措施。本文告訴你ESD和浪涌的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試方法，以及如何選擇TVS器件。

1 TVS管測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文簡(jiǎn)稱ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文簡(jiǎn)稱浪涌管）。

這里說的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)指TVS器件規(guī)格書上標(biāo)明的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

IEC61000-4-2 Level 4 ESD Protection——靜電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，必須通過，提供測(cè)試數(shù)據(jù)

IEC61000-4-4 Level 4 EFT protection——部分廠家才會(huì)提供數(shù)據(jù)

IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，必須通過，提供測(cè)試數(shù)據(jù)

1.1 IEC61000-4-2 ESD Protection

這個(gè)是靜電放電抗干擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)應(yīng)國(guó)標(biāo)GB/T 17626.2-2018。先看一下放電搶的原理框圖：

Cd是放電槍和周圍環(huán)境的分布電容；

Cd+Cs的典型值為150pF；

Rd典型值是330Ω；

以4KV接觸放電為例，下圖顯示了靜電槍釋放出來的波形，第.一.個(gè)峰值電流要求15A，上升時(shí)間tr=0.8ns，30ns處的電流8A，60ns處的電流4A。其他等級(jí)的ESD參數(shù)詳見標(biāo)準(zhǔn)，有個(gè)規(guī)律，電流的增加隨電壓要求成正比增加，tr的要求.是一樣的?？梢婌o電的電壓很高，電流也很高，但是時(shí)間非常短，所以能量很低。

ESD的測(cè)試環(huán)境是：

環(huán)境溫度15℃-35℃

相對(duì)濕度30%-60%

大氣壓86kPa-106Kpa

靜電的注入點(diǎn)要注意，有金屬的地方，才適合做接觸放電，如果是絕緣的，沒必要做接觸放電。

推薦一個(gè)儀器型號(hào)：EMTEST NX30，大家都在用。

1.2 IEC61000-4-4 Protection

電快速瞬變脈沖群抗干擾度試驗(yàn)，對(duì)應(yīng)國(guó)標(biāo)GB-T17626.4。這個(gè)脈沖發(fā)生器的結(jié)構(gòu)如下，輸出阻抗是50Ω。

規(guī)格書中會(huì)給出5/50ns, 40A的通過標(biāo)準(zhǔn)，意思是波形符合上面時(shí)間要求，電壓幅度*高值是通過40A電流是的電壓值?，F(xiàn)在很多廠家都不做這個(gè)測(cè)試了。

1.3 IEC61000-4-5 Transient Voltage Protection

這個(gè)是浪涌測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)應(yīng)國(guó)標(biāo)GB T17626.5-2008。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了10/70us組合波發(fā)生器，1.2/50us組合波發(fā)生器的詳細(xì)要求。這個(gè)“組合波發(fā)生器"就是浪涌測(cè)試儀。

在消費(fèi)類電子領(lǐng)域，我們主要用到1.2/50us組合波。這個(gè)“1.2/50us"是對(duì)浪涌測(cè)試儀的電壓放電要求，標(biāo)題中的“8/20us"是對(duì)浪涌測(cè)試儀的電流放電要求，下文會(huì)詳細(xì)解釋。

下圖是浪涌測(cè)試儀的內(nèi)部原理，在沒有負(fù)載（開路）情況下，浪涌測(cè)試儀應(yīng)該要輸出波前電壓1.2us，電壓半峰值時(shí)間50us。在輸出短路情況下，應(yīng)能輸出波前電流8us，電流半峰值時(shí)間20us。開路輸出電壓與短路輸出電流的比值成為浪涌測(cè)試儀內(nèi)阻，要.求.是2Ω。

下面是1.2/50us電壓波形和8/20us電流波形規(guī)定，特別注意，這些都是儀器不連接被測(cè)設(shè)備，并且沒有耦合/去耦合網(wǎng)絡(luò)時(shí)的波形要求。

如果連接了被測(cè)設(shè)備，標(biāo)準(zhǔn)上沒有波形要求。

如果連接的去耦合網(wǎng)絡(luò)，波形的過充和下沖也會(huì)受到影響，標(biāo)準(zhǔn)沒有限制。

下面是消費(fèi)類電子領(lǐng)域經(jīng)常用的浪涌設(shè)備的耦合/去耦合網(wǎng)絡(luò)原理圖，浪涌是注入到設(shè)備的供電線中的，去耦合網(wǎng)絡(luò)是為了保護(hù)供電設(shè)備不受破壞。手機(jī)項(xiàng)目中一般選用二極管耦合/去耦合。

2、TLP測(cè)試

Transmission Line Pulse測(cè)試，用100ns脈寬的方波，測(cè)量不同電壓幅度下的電流值，電壓值一直增加到管子損壞為止。100ns比IEC61000-4-2規(guī)定的靜電波形1ns大得多，這更能考驗(yàn)ESD管的性能，也更能反應(yīng)ESD管的鉗位能力，下圖是浪涌測(cè)試和TLP測(cè)試的比較，明顯TLP的能量更大。

當(dāng)我們看到兩個(gè)ESD管都能通過接觸±8kV靜電測(cè)試的時(shí)候，我們?cè)撊绾稳ミx擇呢，這個(gè)時(shí)候我們要看ESD的管的鉗位電壓那個(gè)更低，如果都差不多，就再用TLP測(cè)量出I-V曲線，如下圖，對(duì)比同樣電流下的鉗位電壓，低的那個(gè)就是*好的。

3、ESD管接觸放電實(shí)測(cè)波形

一個(gè)ESD管的接觸±8kV實(shí)測(cè)波形，可以看到ESD管可以把8kV的電壓鉗位到30V左右，還是很厲害的。

4、浪涌管實(shí)測(cè)波形

5、TVS管的技術(shù)指標(biāo)

Ipp：*大反向峰值電流，就是按照按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，8/20us電流波形，電容/電感去耦合網(wǎng)絡(luò)測(cè)試的。這個(gè)值越大，TVS管性能越好。

Vc@Ipp：鉗位電壓，達(dá)到*大電流Ipp時(shí)，鉗位電壓值。這個(gè)值，越小越好

Vrwm：*大反向工作電壓，被保護(hù)的信號(hào)，其正常工作時(shí)的電壓不能超過這個(gè)電壓。其實(shí)這個(gè)電壓是TVS管反向漏電流為1uA時(shí)的電壓值，如果電壓再大，反向電流會(huì)很快增加。TVS型號(hào)上的數(shù)字就是這個(gè)電壓。

Vbr：反向擊穿電壓，二極管反向電流達(dá)到1mA時(shí)的電壓值。當(dāng)反向電壓超過這個(gè)值時(shí)，反向電流會(huì)急劇增加。

Cj：結(jié)電容，一般是pF級(jí)別，用在高速信號(hào)線上時(shí)，比如USB2.0的D+和D-，結(jié)電容要小于1pF。

Pppm：按照IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試出來的*大Ipp乘以此時(shí)的鉗位電壓Vc。浪涌管選型，不要只看這個(gè)值，更要看鉗位電壓是多少。

6、ESD管和浪涌管選型

    Vrwm不得小于被保護(hù)信號(hào)的工作電壓。

    從減少漏電的角度考慮，Vrwm比被保護(hù)信號(hào)的工作電壓越大，漏電流越小。不要小看1uA的漏電流，很多器件的待機(jī)電流都是

別的哦。

    從保護(hù)強(qiáng)度的角度考慮，Vrwm越接近信號(hào)工作電壓，管子的鉗位電壓Vc越低，對(duì)信號(hào)的保護(hù)作用越好。

    ESD管和浪涌管的靜電防護(hù)等級(jí)要大于產(chǎn)品本身要求的防護(hù)等級(jí)。

    ESD管和浪涌管的的靜電鉗位電壓，浪涌鉗位電壓越低越好。

    浪涌管的鉗位電壓要小于被保護(hù)電路的maximal rating.

    浪涌管的功率要求：假設(shè)要通過300V浪涌，要求鉗位電壓是20V以內(nèi)，因?yàn)槔擞繙y(cè)試儀的內(nèi)阻是2ohm，所以*大輸出電流是(300V-20V)/2ohm=140A，則要選擇管子功率在140A*20V=2800W以上。當(dāng)然，如果這個(gè)浪涌管的鉗位電壓小于20V，對(duì)功率的要求還能低一些。

管子的保護(hù)性能，主要跟鉗位電壓有關(guān)，不要看Ipp之類的參數(shù)。

簡(jiǎn)言之，先看Vrwm，再看Vc，在看功率，沒什么難的。